装置名 | S-3500N | S-4300SE | S-5000 |
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電子工学系区分 | 熱電子放出形SEM | ショットキーエミッション(SE) SEM |
電界放出形SEM |
二次電子像分解能 | 3.0nm(25kV) | 1.5nm(30kV) | 0.6nm(15kV) |
通常の観察倍率 | 50〜20,000倍 | 50〜50,000倍 | 50〜100,000倍 |
試料サイズ (平面寸法) |
80×80nm | 50×50nm | 3×5nm |
可動範囲 | 0〜30mm | 0〜25mm | 0〜5mm |
その他 | 反射電子像観察 低真空モード (無蒸着で観察可能) |
SE電子源/ドリフト補正EDXにより 長時間S/Nのよい測定が可能 |
高分解能 |